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发布时间:2020-06-30      发布人:永利官网网址


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  扔光手艺及扔光液 一、扔光手艺 最初的半导体基片(衬底片)扔光沿用呆板扔光、比方氧化镁、氧化锆扔光 等,不过取得的晶片外面毁伤是及其首要的。直到 60 年代末,一种新的扔光技 术——化学呆板扔光手艺 (CMP Chemical Mechanical Polishing ) 庖代了旧的要领。 CMP 手艺归纳了化学和呆板扔光的上风: 简单的化学扔光,扔光速度较疾,外面光洁度高,毁伤低,完满性好,但外 面平整度清静行度差,扔光后外面相同性差; 简单的呆板扔光外面相同性好, 外面平整度高, 但外面光洁度差, 毁伤层深。 化学呆板扔光可能得回较为完满的外面,又可能取得较高的扔光速度,取得 的平整度比其他要领高两个数目级, 是目前或许告竣全部平面化的独一有用要领。 按照呆板加工道理、半导体资料工程学、物力化学众相响应众相催化外面、外面 工程学、半导体化学基本外面等,对硅单晶片化学呆板扔光(CMP)机理、动力 学管制历程和影响要素咨议标明,化学呆板扔光是一个丰富的众相响应,它存正在 着两个动力学历程: (1)扔光起初使吸附正在扔光布上的扔光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片 外面的硅原子正在外面举行氧化还原的动力学历程。这是化学响应的主体。 (2)扔光外面响应物离开硅单晶外面,即解吸历程使未响应的硅单晶从头 裸显示来的动力学历程。它是管制扔光速度的另一个厉重历程。硅片的化学呆板 扔光历程是以化学响应为主的呆板扔光历程,要得回质料好的扔光片,务必使扔 光历程中的化学腐化效用与呆板磨削效用到达一种均衡。 倘使化学腐化效用大于 呆板扔光效用,则扔光片外面出现腐化坑、桔皮状波纹。恒丰娱乐登录:但外 面平整度安闲行度差倘使呆板磨削效用大于 化学腐化效用,则外面出现高毁伤层。 二、蓝宝石研磨液 蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石扔光液)是用于正在蓝宝石衬底的研磨和减薄的 研磨液。 蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合涣散剂和涣散介质构成。 1 蓝宝石研磨液诈骗聚晶金刚石的个性, 正在研磨扔光历程中连结高切削效用的 同时不易对工件出现划伤。可能使用正在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬 质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等界限的研磨和扔光。 蓝宝石研磨液正在蓝宝石衬底方面的使用: 1。 外延片临盆前衬底的双面研磨:众用蓝宝石研磨液研磨一道或众道,根 据最终蓝宝石衬底研磨恳求用 6um、3um、1um 不等。 2。 LED 芯片反面减薄 为处置蓝宝石的散热题目,必要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从 450nm 控制 减至 100nm 控制。要紧有两步:先正在横向减薄机上,用 50-70um 的砂轮研磨磨 去 300um 控制的厚度; 再用扔光机 (秀和、 NTS、 WEC 等) 针对分歧的研磨盘 (锡 /铜盘) ,采用适合的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片反面扔光,从 150nm 减至 100nm[1]控制。 三、蓝宝石扔光液 蓝宝石扔光液是以高纯度硅粉为原料, 经独特工艺临盆的一种高纯度低金属 离子型扔光产物。 蓝宝石扔光液要紧用于蓝宝石衬底的扔光。 还可通常用于众种资料纳米级的 高平展化扔光,如:硅片、化合物晶体、稹密光学器件、宝石等的扔光加工。 蓝宝石扔光液的特性: 1。高扔光速度,诈骗大粒径的胶体二氧化硅粒子到达高速扔光的主意。 2。高纯度(Cu 含量小于 50 ppb) ,有用减小对电子类产物的沾污。 3。高平展度加工,恒丰娱乐开户蓝宝石扔光液是诈骗 SiO2 的胶体粒子举行扔光,不会对 加工件酿成物理毁伤,到达高平展化加工。 蓝宝石扔光液遵照 pH 值的分歧可分为酸性扔光液和碱性扔光液。 蓝宝石扔光液的型号: 碱性型号(pH!9。8±0。5) :SOQ-2A、SOQ-4A、SOQ-6A、SOQ-8A、SOQ-10A、 SOQ-12D 酸性型号 (pH!2。8±0。5) ASOQ-2A、 : ASOQ-4A、 ASOQ-6A、 ASOQ-8A、 ASOQ-10A、 ASOQ-12D 2 粒径(nm): 10~30 30~50 50~70 70~90 90~110 110~130 外观: 乳白色或半透后液体 比重 1。15±0。05 构成 SiO2:15~30% Na2O:≤0。3% 重金属杂质 :≤50 ppb 3澶嶅悎鏈哄櫒浜?/span